ていこう


電子業界の労働者として、抵抗は誰も知らない。その重要性は疑いの余地がない。「抵抗はすべての電子回路で最も多く使われている素子だ」と言われています。


抵抗は、物質が電流に生じる阻害作用のため、その作用下の抵抗物質と呼ばれる。抵抗は電子流束の変化をもたらし,抵抗が小さいほど電子流束が大きくなり,逆も同様である。抵抗や抵抗の小さい物質を電気導体と呼び、導体と略称する。電流伝達を形成できない物質を電気絶縁体、略称絶縁体と呼ぶ。


物理学では電流に対する導体の阻害作用の大きさを抵抗(Resistance)で表した。導体の抵抗が大きいほど、電流に対する導体の阻害作用が大きいことを示す。異なる導体、抵抗は一般的に異なり、抵抗は導体自体の特性である。抵抗素子は電流を阻害するエネルギー消費素子である。


抵抗素子の抵抗値の大きさは一般に温度に関係し、抵抗が温度の影響を受ける大きさを測定する物理量は温度係数であり、温度が1°C上昇するごとに抵抗値が変化するパーセンテージとして定義される。


抵抗は回路において「R」に数字を付けて表し、例えば、R 1は番号1の抵抗を表す。抵抗の回路における主な役割は分流、限流、分圧、バイアスなどである。


キャパシタンス


容量(または電気容量、Capacitance)とは、所与の電位差における電荷貯蔵量を指す。Cと表記し、国際単位はファラ(F)です。一般に、電荷は電場の中で力を受けて移動し、導体間に媒体があると、電荷の移動を阻害して電荷が導体に蓄積する。電荷の蓄積蓄積蓄積をもたらし、最も一般的な例は2枚の平行金属板である。コンデンサの俗称でもあります。


1、容量は回路において一般的に「C」に数字を付けて表す(例えばC 13は番号13の容量を表す)。容量は2枚の金属膜が密着し、中間が絶縁材料で隔てられた素子である。容量の特性は主に隔直流通交流である。容量容量の大きさは貯蔵可能な電気エネルギーの大きさを表し、容量の交流信号に対する阻害作用をリアクタンスと呼び、交流信号の周波数と電気容量と関係がある。リアクタンスXC=1/2πfc(fは交流信号の周波数を表し、Cは容量を表す)電話機でよく用いられる容量の種類は、電解容量、磁器容量、パッチ容量、独石容量、タンタル容量、ポリエステル容量などである。


2、識別方法:容量の識別方法は抵抗の識別方法と基本的に同じで、直標法、色標法と数標法の3種類に分けられる。容量の基本単位はファラ(F)で表され、他の単位はミリ法(mF)、マイクロ法(uF)、ナノ法(nF)、皮法(pF)である。


クリスタルダイオード


結晶ダイオード(crystaldiode)固体電子素子における半導体両端素子。これらの素子の主な特徴は非線形の電流‐電圧特性である。その後、半導体材料とプロセス技術の発展に伴い、異なる半導体材料、ドーピング分布、幾何構造を利用して、構造の種類が多く、機能用途が異なる多種の結晶ダイオードを開発した。製造材料はゲルマニウム、シリコン及び化合物半導体である。結晶ダイオードは、信号の生成、制御、受信、変換、増幅、エネルギー変換などに用いることができる。


結晶ダイオードは回路でよく「D」と数字で表され、例えば、D 5は5番のダイオードを表す。


ていでんあつダイオード


定電圧ダイオード(ツェナーダイオードとも呼ばれる)は、臨界逆破壊電圧まで高い抵抗を有する半導体装置である.定電圧ダイオードは回路でよく「ZD」と数字で表され、例えば、ZD 5は番号5の定電圧管を表す。


インダクタンス


インダクタンス:コイルが電流を通過すると、コイルに磁場誘導が形成され、誘導磁場はまた誘導電流を発生してコイルを通過する電流を抵抗する。この電流とコイルの相互作用関係を電気的リアクタンス,すなわちインダクタンスと呼び,単位は「ヘンリー」(H)である。この性質を用いてインダクタンス素子を作製することもできる。


キャパシタンスダイオード


バリコンダイオード(Varactor Diodes)は「可変リアクタンスダイオード」とも呼ばれる。PN接合容量(バリア容量)とその逆バイアス電圧Vrとの依存関係及び原理を用いて作製されたダイオードである。


クリスタルトランジスタ


結晶トランジスタは、半導体基本素子の一つであり、電流増幅作用を有し、電子回路の核心素子である。三極管は、1枚の半導体基板上に2つの距離の近いPN接合を作製し、2つのPN接合は正のブロック半導体を3つの部分に分け、中間部分はベース領域であり、両側部分は発光領域と集電領域であり、配列方式はPNPとNPNの2種類がある。


電界効果管


電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor略称(FET))は電界効果管と略称する。多数のキャリアが導電に関与し、単極型トランジスタとも呼ばれる。電圧制御型半導体デバイスに属する。入力抵抗が高く、ノイズが小さく、消費電力が低く、ダイナミックレンジが大きく、集積が容易で、二次破壊現象がなく、安全な動作領域が広いなどの利点があり、バイポーラトランジスタとパワートランジスタの強力な競争者となっている。


へんあつき


トランス(Transformer)は、電磁誘導の原理を利用して交流電圧を変化させる装置であり、主な部材は一次コイル、二次コイル、コア(磁気コア)である。電気機器や無線回路では、昇降電圧、整合インピーダンス、安全隔離などによく用いられる。